装置・料金

主な装置

  • リソグラフィ(コンタクトアライナ、マスクレスアライナ、レーザ描画装置、電子線描画装置、自動コータ、スピンコータ、ホットプレートなど)
  • 酸化拡散炉
  • イオン注入、熱処理
  • CVD(LP-CVD、PE?CVD、常圧熱CVD、MOCVD)、ALD、ゾルゲル成膜
  • スパッタ、蒸着、めっき
  • ドライエッチング(DRIE、ICP-RIE、CCP-RIE、CDE、VaporHF)
  • ウェットエッチング(Si等方性、Si異方性、金属、その他)
  • 接合、ダイサ、研磨、レーザ加工、サンドブラスト
  • ナノインプリント(UV、熱)
  • 各種測定、評価

装置一覧(文部科学省ナノテクノロジープラットフォームイエローページ)

試作コインランドリパンフレット(料金も記載しています)

装置リスト・料金表 

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洗浄、乾燥

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
A-01エッチングチャンバーアズワン PSH12001,1101,332最大8インチ酸洗浄、ウェットエッチング(Si, SiO2, 金属など)
A-02リン酸槽 1,4401,728最大8インチSiNウェットエッチング
A-04イナートオーブン(シンター炉)ヤマト科学 DN63H 1,1941,432最大6インチN2雰囲気中での熱処理、Alシンタリングなど
A-05真空オーブンヤマト科学 DP-31 9441,134最大8インチ真空中での熱処理
A-06ブラシスクラバ全協化成6,1187,340最大6インチ研磨後のウェハ洗浄
A-07スピン乾燥機東邦化成 ZAA-42,0102,412最大6インチ平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥
A-08有機ドラフトチャンバー 1,1101,332最大6インチ有機洗浄、レジスト剥離
A-094″スピン乾燥機SEMITOOL PSC101 2,1162,5384インチカセット式で1度に25枚まで処理可能
A-106″スピン乾燥機SEMITOOL PSC101 2,1162,5386インチカセット式で1度に25枚まで処理可能

リソグラフィ

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
B-02スピンコータミカサ 1H-DXII 2,1682,602最大4インチレジスト等のスピンコーティング
B-03クリーンオーブンヤマト科学 DE62 2,7163,260最大8インチウェハのベーク
B-04ポリイミドキュア炉ヤマト科学 DN43H 1,6902,028最大8インチN2雰囲気中でのポリイミドのキュア
B-05両面アライナSuss MA6/BA6 3,0643,678最大6インチコンタクト露光、片面・両面アライメント、接合時のアライメント
B-08現像ドラフト 1,1101,332最大6インチレジスト現像用のドラフトチャンバー
B-09UV キュア装置ウシオ電機 UMA-802 3,2703,9244インチレジストのキュア、カセットtoカセット
B-10スピンコータアクテス ASC-40002,2182,662最大6インチレジスト等のスピンコーティング
B-11スプレー現像装置アクテス ADE-3000S2,1162,538最大6インチ現像液とリンス(水)をノズルから噴霧
B-13エリオニクス EB描画装置エリオニクス ELS-G125S9,33611,204最大6インチ最大加速電圧:130keV、最小描画パターン:10nm以下
B-14レーザ描画装置Heidelberg Instruments
DWL2000CE
6,9888,384最大9インチ角波長:405nm、最小描画線幅:0.7µm、マスク作製(Cr、エマルジョン)、直接描画、グレイスケール露光
B-15球面露光装置東栄科学産業4,4385,324球面体球面体(直径1.0、3.3mm)へのマスクレス露光、最小パターン:1.5µmハーフピッチ、アライメント精度:±5µm
B-16スピン乾燥機東邦化成 ZAA-42,0102,412最大6インチ平置き式でウェハやフォトマスクの乾燥
B-17ホットプレートShamal HHP-230SQ9801,176最大8インチ設定温度:40~400℃、温度分布精度:±1℃
B-18マスクレスアライナHeidelberg Instruments
MLA150
4,9765,972最大8インチ角波長:405nm、最小描画線幅:1µm、マスク作製(Cr、エマルジョン)、超高速直接描画、裏面アライメント

酸化拡散、イオン注入、熱処理

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
C-01酸化炉(半導体用)東京エレクトロン XL-7 10,03812,046最大6インチ酸化膜形成、半導体ウェハ用
C-02酸化炉(MEMS用)東京エレクトロン XL-7 8,60810,330最大6インチ酸化膜形成、MEMSウェハ用
C-03P拡散炉東京エレクトロン XL-7 11,00213,202最大6インチP拡散(プリデポ用)
C-04P押し込み炉東京エレクトロン XL-7 9,29411,152最大6インチP拡散(ドライブイン用)
C-05B拡散炉東京エレクトロン XL-7 10,37812,454最大6インチB拡散(プリデポ用)
C-06B押し込み炉東京エレクトロン XL-7 9,29411,152最大6インチB拡散(ドライブイン用)
C-07アニール炉東京エレクトロン XL-7 9,55211,462最大6インチイオン注入後のアニール
C-08中電流イオン注入装置日新イオン機器 NH-20SR 19,47823,3744インチ最大加速電圧:180keV、最大電流:0.6mA、注入可能元素:P、B、カセットtoカセット
C-09高電流イオン注入装置住友イートンノバ NV-1019,27423,1304インチ最大加速電圧:80keV、最大電流:6mA
C-10ランプアニール装置AG Associates  AG4100 7,6049,124最大6インチ最高温度:1100℃、昇温速度:100℃/sec、カセットtoカセット
C-11メタル拡散炉光洋リンドバーグ Model2707,8909,468最大4インチ最高温度:1000℃、メタルや圧電基板等の多用途拡散

成膜

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
D-01LPCVD(SiN)システムサービス10,36812,442最大6インチSiN
D-02LPCVD(Poly-Si)システムサービス10,36212,434最大6インチPoly-Si
D-03LPCVD(SiO2)システムサービス10,97013,164最大6インチSiO2(NSG)、SiON
D-04熱CVD国際電気21,00825,210最大6インチEpipoly-Si(non-doped, doped)、Poly-Si(non-doped, doped)、最高温度:1100℃
D-05住友精密PECVD住友精密 MPX-CVD 15,22818,274最大8インチSiN、SiO2、最高温度:350℃、低応力SiN成膜
D-06W-CVD Applied Materials P-5000 9,31811,1824インチタングステン成膜
D-07アネルバスパッタ装置アネルバ SPF-730 8,56010,270最大6インチ1バッチ9枚(4インチ)、8インチターゲット×3
D-08芝浦スパッタ装置芝浦メカトロニクス CFS-4ESII 3,7344,482最大8インチ基板ステージφ200mm、3インチターゲット×3、基板加熱形(最高300℃)
D-09電子ビーム蒸着装置アネルバ EVC-1501 6,7948,1544、6インチ主に金属薄膜の蒸着
D-10ゾルゲル自動成膜装置テクノファイン PZ-604 8,0289,634最大4インチPZT成膜
D-11めっき装置山本鍍金試験器2,5343,040最大6インチCu、Ni、Sn、Au
D-12MOCVDワコム研究所 Doctor T19,32023,184最大8インチPZT成膜等
D-13JPEL PECVD日本生産技術研究所
VDS-5600
14,89017,868最大6インチSiN、SiO2、バッチ式:4インチ×13枚、6インチ×8枚
D-14住友精密TEOS PECVD住友精密 MPX-CVD 16,78420,140最大8インチTEOS SiO2、SiN、最高温度:350℃、低応力SiN成膜
D-15自動搬送 芝浦スパッタ装置芝浦メカトロニクス
!-Miller CFS-4EP-LL
6,3447,612最大8インチ基板ステージφ220mm、3インチターゲット×4、基板加熱形(最高300℃)、ロードロック付、自動搬送付
D-16球面成膜用スパッタ装置和泉テック4,3805,254球面体球面体(直径1.0、3.3mm)へのスパッタリング、膜種:Au、Cr、Al、Pd、SiO2他、O2プラズマクリーニング可
D-17多元材料原子層堆積(ALD)装置テクノファイン ALK-6009,82011,784最大6インチアルミナ等のALDが可能。6インチウェハまでの導入が可能。アルミナ以外は、要原料。
D-18酸素加圧RTA付高温スパッタ装置ユーテック 21-060411,65013,980最大8インチ金属用(DC)スパッタチャンバ、酸化物用(RF)スパッタチャンバ、酸素加圧アニールチャンバの3つのチャンバで構成。最高基板温度は700℃。主にPZT下地成膜、PZT成膜用。
D-19アネルバマルチスパッタアネルバ SPC-3506,0347,2404インチ1バッチ最大6枚搭載可能(回転機構付)、6インチターゲット×3(DC×2、RF×1:同時放電可能)、基板加熱形(最高650℃)、強磁性体対応、ロードロック付、クライオポンプ

エッチング

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
E-01DeepRIE装置#1住友精密 MUC-21 8,0009,600最大6インチSiの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-02DeepRIE装置#2住友精密 MUC-21 8,0009,600最大6インチSiの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-03DeepRIE装置#3STS7,8929,472最大6インチSiの深堀エッチング、メカニカルチャック
E-04アネルバRIE装置アネルバ DEA-506 6,9068,286最大8インチSiN、SiO2のドライエッチング、ガス:CF4、CHF3
E-05アネルバSi RIE装置アネルバ L-507DL 6,2987,558最大6インチSiのドライエッチング、ガス:SF6
E-06Al-RIE装置芝浦メカトロニクス HIRRIE-100 11,83614,204最大6インチAlやSiのドライエッチング、カセットtoカセット、ガス:Cl2、BCl3
E-07アルバック アッシング装置アルバック UNA-2000 4,0024,804最大6インチ2.45GHz、カセットtoカセット
E-08ブランソン アッシング装置ブランソン IPC4000 3,2743,928最大6インチ13.56MHz
E-09ECRエッチング装置アネルバ ECR600112,52415,030最大3インチガス:Cl2
E-10アルバック多用途RIE装置アルバック RIH-1515Z11,06013,272最大6インチ金属膜や圧電膜も対象とした多目的のドライエッチング、ガス:Cl2、BCl3、SF6、CF4、CHF3、Ar、N2、O2
E-11KOHエッチング槽 3,0843,702最大6インチSi結晶異方性エッチング
E-12TMAHエッチング槽 3,0943,712最大6インチSi結晶異方性エッチング
E-13DeepRIE装置#4住友精密 MUC-21 14,70017,640最大8インチSiの深堀エッチング、静電チャック
E-14イオンミリング装置エヌ・エス/伯東 20IBE-C11,34213,610最大6インチArイオン、4インチ×6枚、6インチ×3枚
E-15Vapor HFエッチング装置住友精密 Primaxx uEtch8,48410,180最大8インチ気相フッ酸による主にSiO2犠牲層エッチング
E-16アルバックICP-RIE#1アルバック NE-55015,82018,982最大6インチSiO2、メタルなどの多目的ドライエッチング、静電チャック、ガス:CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、Cl2、BCl3
E-17ケミカルドライエッチャー(CDE)芝浦メカトロニクス CDE75,9547,146最大4インチラジカルによる低ダメージのSi、SiN等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去、ガス:CF4、O2、N2
E-18プラズマクリーナーヤマト科学 PDC2103,1823,818最大6インチO2またはArによるウェハ表面のプラズマクリーニング、レジストアッシング
E-19アルバックICP-RIE#2アルバック CE-300I15,49418,594最大6インチSiO2,メタルなどの多目的ドライエッチング、静電チャック、ガス:CF4、CHF3、SF6、Ar、O2、N2、Cl2、BCl3

接合、研磨、パッケージング

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
F-01ウェハ接合装置Suss SB6e 5,2446,292最大6インチ陽極接合、金属接合、ポリマー接合
F-02東京精密 ダイサ東京精密9,64211,570最大6インチ切削水:純水
F-03ディスコ ダイサディスコ DAD-522 2,6083,128最大6インチ切削水:水道水
F-04ワイヤボンダWest Bond 1,1761,412チップAl、Au
F-05レーザマーカGSI ルモニクス WM-II 2,4142,8964インチウェハのマーキング
F-066インチウェハ研磨装置BNテクノロジー Bni622,1042,526最大6インチSi、SiO2、金属などの研磨、CMP
F-074インチウェハ研磨装置BNテクノロジー Bni521,8082,170最大4インチSi、SiO2、金属などの研磨、CMP
F-08サンドブラスト新東3,4164,098最大6インチガラスの穴あけ加工
F-09EVG ウェハ接合装置EVG 5205,4006,4808インチ熱圧着接合用
F-10EVG ウェハ接合用アライナEVG Smart View Aligner4,6005,5208インチIR透過アライメント可能
F-11UVインプリント装置東芝機械 ST-506,0227,226最大4インチ角UV光を用いたインプリント装置、ステップ&リピート可能
F-12熱インプリント装置オリジン電気 Reprina-T50A5,4646,558最大2インチ角最大650℃、最大30kN
F-13エキシマ洗浄装置デアネヒステ EXC-1201-DN2,4122,894最大4インチウェハや石英モールド上の有機物の除去
F-14サーフェイスプレナーディスコ DAS892014,38617,2624、8インチAu、Cuバンプの平坦化
F-15ウォーターレーザ澁谷工業 LAMICS AQL-19005,6246,748最大12インチシリコンウェハや金属薄板の加工(ガラスなどの透明材料はNG)、最小加工線幅:約70μm

測定

番号装置名称メーカ/型番公開利用
使用料
(円/時間)
非公開利用
使用料
(円/時間)
対応ウェハサイズ備考/簡単な仕様、装置の特徴等
G-01ウェハゴミ検査装置トプコン WM-31,9642,358最大6インチウェハ上のパーティクル測定(数、大きさ)
G-02膜厚計ナノメトリクス NanoSpec3000 1,3701,644最大6インチ光学式の膜厚測定
G-03Dektak 段差計Dektak 8 1,6481,978最大6インチ触針式の表面形状測定
G-04Tenchor 段差計Tencor AlphaStep 5001,6481,978最大6インチ触針式の表面形状測定
G-05深さ測定装置ユニオン光学 Hisomet 1,0641,276最大6インチ光学式の非接触深さ測定装置
G-064探針測定装置 1,0641,278最大6インチウェハ抵抗率などの測定
G-07拡がり抵抗測定装置Solid State Measurements SSM150 2,6063,128小片不純物濃度プロファイルの測定、ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定
G-08ウェハプローバ東京精密 EM-20A 2,6503,1804インチデバイスの電気特性測定
G-09金属顕微鏡ニコン L150 1,1401,368最大6インチパターン観察
G-10デジタル顕微鏡キーエンス/クノーテクノクラフト1,5301,834最大8インチパターン観察、デジタル画像保存、電動ステージ(PC制御可)、20~200倍、500~5000倍
G-11熱電子SEM日立 S3700N2,5283,034最大12インチEDX付、低真空モード付、光学画像ナビゲーション付
G-12FE-SEM日立 S50004,6005,520小片小片専用、インレンズ式の高分解能FESEM
G-13マイクロX線CTコムスキャンテクノ ScanXmate D160TS1103,2983,958最大6インチX線を用いた非破壊内部観察
G-14エリプソアルバック9601,152最大6インチ薄膜の厚さ、屈折率測定
G-15超音波顕微鏡インサイト IS-3502,2722,728最大12インチデバイス内部の非破壊検査、ウェハ接合面の欠陥、ボイド評価等
G-16デジタルサーモ顕微鏡アピステ FSV-12001,2361,484最大6インチ熱画像センサ、最小分解能:10µm
G-17赤外線顕微鏡オリンパス/浜松ホトニクス1,2221,466最大6インチ両面アライメントの確認、ウェハ接合面のボイド評価等
G-18四重極質量分析装置キヤノンアネルバ
M-101QA-TDM
1,2161,458 プロセス中の残留ガスのモニタ等
G-19TOF-SIMSCAMECA TOF SIMS IV15,29418,354チップ二次イオン質量分析装置、深さ方向の微量元素分析
G-20クイックコータサンユー電子 SC-701MkII1,3241,590最大2インチSEM観察試料のPtコーティング
G-22卓上型エリプソフォトニックラティス SE-101736884最大6インチ高速サンプリング可能なエリプソ
G-23大口径AFMDigital Instruments
Dimension3100
4,0464,854最大12インチ大口径ウェハにも対応するAFM
G-24レーザ/白色共焦点顕微鏡レーザーテック
OPTELICS HYBRID LS-SD
4,7185,662最大6インチ3次元表面形状測定、DeepRIEのエッチ深さ測定、レーザ光/白色の切替可能、共焦点/非共焦点の切替可能
G-25直線集束ビーム超音波材料解析システム#1 3,4604,152最大6インチ固体試料の漏洩弾性表面波(LSAW)速度測定
G-26直線集束ビーム超音波材料解析システム#2 3,4604,152最大8インチ固体試料のバルク波(縦波、横波)音速測定
G-27FIBSII SMI92009,57411,490小片集束イオンビームによる微小部分のエッチング、SEM観察用断面作製
G-28XRDブルカー・エイエックスエス D8 DISCOVER5,6886,824最大6インチX線回折測定、1000℃までの高温環境での測定可能